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Solución de empaque DIP-8: Flujo de proceso completo, equipos y control de calidad para empaque doble en línea.

Solución de empaque DIP-8: Flujo de proceso completo, equipos y control de calidad para empaque doble en línea.

June 10, 2026
Descripción general
El encapsulado DIP-8 (Dual In-line Package) sigue siendo uno de los encapsulados de semiconductores de orificio pasante más utilizados en aplicaciones industriales, de gestión de energía, automotrices, de instrumentación y electrónica tradicional. Gracias a su proceso de fabricación consolidado, su excelente fiabilidad mecánica y su bajo coste de producción, el DIP-8 continúa siendo una opción práctica para numerosos dispositivos analógicos y de señal mixta.
Esta guía explica el Características del paquete, Aplicaciones comunes, proceso de fabricación y equipos recomendados. al tiempo que se introduce una solución de producción completa.
 
 
 
¿Qué es un encapsulado DIP-8?
El encapsulado DIP-8 es un encapsulado estándar de orificio pasante con ocho pines dispuestos en dos filas paralelas con una separación de 2,54 mm. Es fácil de ensamblar, inspeccionar, reemplazar y reparar, lo que lo hace idóneo para la creación de prototipos y productos de alta fiabilidad.
 
 DIP-8 package
Características principales
El encapsulado DIP (Dual In-line Package) es uno de los formatos de encapsulado con mayor trayectoria en la historia de los semiconductores. Como modelo estandarizado de la serie, el DIP-8 ofrece las siguientes ventajas clave:
  • Encapsulado de orificios pasantes para un ensamblaje fiable de PCB.
  • Mejor disipación de calor que muchos encapsulados SMT compactos.
  • Proceso de fabricación maduro y rentable.
  • Alta resistencia mecánica.
  • Dimensiones estandarizadas y amplia compatibilidad de componentes.

 

 

Aplicaciones típicas
  • Amplificadores operacionales
  • Comparadores de voltaje
  • Circuitos integrados de temporización
  • EEPROM
  • Circuitos integrados de interfaz
  • Optoacopladores
  • Circuitos integrados de gestión de energía
  • electrónica de control industrial
  • electrónica automotriz
  • productos de consumo.

 

 

 

Proceso de fabricación completo para DIP-8
El proceso DIP-8 sigue el flujo de proceso DIP unificado. La cadena de procesos completa se detalla a continuación.
 
Paso 1: Preparación de la oblea
Objetivo: Reducir el grosor de la oblea en bruto hasta el espesor requerido para el embalaje, eliminar las tensiones en los bordes y obtener una superficie plana.
Subetapas: Desbaste → Redondeo de bordes → Pulido → Montaje con cera
Parámetros de control clave:
  • Espesor final: 150–200 μm
  • TTV (Variación total del espesor): ≤ ±5 μm
  • Rugosidad superficial (Ra): ≤ 0,05 μm
  • Desconchado de bordes: ≤ 50 μm
 
Paso 2: Cortar la oblea en dados (con sierra)
Objetivo: Separar la oblea completa en chips individuales.
Método: Corte mecánico con cuchilla de diamante.
Parámetros de control clave:
  • Ancho de corte: 30–60 μm
  • Tamaño de las virutas: ≤ 5 μm
  • Tolerancia del tamaño del chip: ± 25 μm
  • Profundidad de corte Espesor de la oblea: + 10–20 μm
 
Paso 3: Limpieza con plasma
Objetivo: Eliminar contaminantes y óxidos de las superficies de los chips y los marcos de conexión, y activar la energía superficial para mejorar la fijación de los chips y la adhesión de los cables.
Gas de proceso: plasma mixto de O₂/Ar.
Parámetros de control clave:
  • Tiempo de limpieza: 60–180 s
  • Potencia de RF: 100–300 W
  • Flujo de gas (O₂): 50–200 sccm
 
Paso 4: Fijación del troquel
Objetivo: Fijar con precisión el chip a la almohadilla del marco de conexión mediante adhesivo.
Método: Dispensación de epoxi de plata → colocación del troquel → horneado de curado por etapas
Parámetros de control clave:
  • Precisión de posicionamiento (XY): ± 25 μm
  • Espesor de la capa adhesiva: 20–50 μm
  • Perfil de temperatura de curado: 120 °C → 150 °C (escalonado)
  • Resistencia al corte de la matriz: ≥ 2,5 kg
 
Paso 5: Unión de cables
Objetivo: Crear interconexiones eléctricas entre las almohadillas del chip y los dedos internos del marco de conexión mediante cables metálicos.
Método: Unión por termocompresión ultrasónica (con alambre de oro o cobre).
Parámetros de control clave:
  • Resistencia a la tracción del cable (25 μm Au): ≥ 5 gf
  • Diámetro de la primera bola de unión: 45–55 μm
  • Diámetro de la segunda puntada de unión: 60–80 μm
  • Altura del bucle: ≤ 150 μm
 
Paso 6: Moldeo (Moldeo por transferencia)
Objetivo: Encapsular el chip y los cables de conexión con un compuesto de moldeo epoxi para formar la carcasa protectora.
Método: Moldeo por transferencia.
Parámetros de control clave:
  • Temperatura del molde: 175 °C ± 5 °C
  • Presión de sujeción: 80–120 T
  • Tiempo de curado: 60–120 s
  • Tasa de porosidad en el cuerpo del molde: ≤ 1%

 

Paso 7: Recortar y dar forma

Objetivo: Recortar las barras de unión y dar forma a los pines según la configuración DIP estándar.
Parámetros de control clave:
  • Coplanaridad del pasador: ≤ 0,1 mm
  • Paso de pines 2,54 mm: ± 0,05 mm
  • Perpendicularidad del pasador: ≤ 2°

  

Paso 8: Probar y clasificar

Objetivo: Realizar pruebas de parámetros eléctricos y separar automáticamente las piezas en buen estado de las defectuosas.
Elementos de prueba: Prueba de circuito abierto/cortocircuito, prueba funcional, prueba paramétrica de CC, prueba de muestra con características de temperatura.
 
Paso 9: Inspección visual/de calidad
Objetivo: Inspección exhaustiva del aspecto, la estructura interna y la fiabilidad del proceso.
Métodos de inspección:
  • AOI: defectos en la superficie del molde, deformación del pasador, claridad del marcado
  • Rayos X (muestreo): huecos internos, barrido de alambre, colocación del chip
  • Ensayo de tracción-cizallamiento (muestreo): resistencia a la tracción del alambre, resistencia al cizallamiento de la matriz.
  
 
Resumen de la configuración de los equipos de la línea de producción DIP-8
Paso del procesoEquipo recomendado
Rectificado de obleasHY-AT9530 Molino automático
Redondeo de bordesRedondeadora de bordes HY-WC615
PulidoPulidora HY-SP910
Montaje con ceraMontadora de cera HY-SW360
Corte de obleasSierra de corte de doble husillo HY-WD1202
Limpieza con plasmaAspiradora HY-EI160
Fijación de troquelHY-DD560P Dispensador automático y pegador de troqueles
Unión de cablesSoldadora automática de alambre HY-WB200
MolduraHY-PS8120 Sistema de moldeo
Recorte y formaHY-TF200L Ajuste automático
Probar y clasificarHY-TT1801 Máquina integrada de prueba y encintado
Inspección AOIHY-BI300 Máquina de inspección de apariencia
Inspección por rayos XHY-XR5010 Equipos de inspección por rayos X
Ensayo de tracción-cizallamientoHY-PT8100 Probador de fuerza de empuje y tracción
*Nota sobre la compatibilidad del equipoExcepto por las herramientas de moldeo, recorte/formado y fijación de troqueles, que requieren kits de cambio específicos, todos los equipos de la parte frontal (rectificado/corte/limpieza) y de la parte posterior (prueba/inspección) se pueden compartir en toda la familia DIP (de 6 a 40 pines), lo que ofrece una gran flexibilidad de línea para futuras expansiones.

 

 

¿Por qué elegir HYRNUS?

HYRNUS ofrece soluciones integrales de empaquetado de semiconductores que abarcan la preparación de obleas, la unión de chips, la unión de cables, el moldeo, el recorte y conformado, las pruebas y la inspección. Nuestras soluciones llave en mano ayudan a los clientes a mejorar la eficiencia de la producción, garantizar una calidad constante y construir líneas de empaquetado DIP escalables con soporte técnico global.

 

 

 

Resumen y recomendaciones

El encapsulado DIP-8 sigue siendo una opción probada para semiconductores gracias a su diseño estandarizado, rendimiento fiable y proceso de fabricación económico. Al combinar procesos de producción optimizados con equipos adecuados y un estricto control de calidad, los fabricantes pueden lograr una producción estable y de alto rendimiento. HYRNUS ofrece soluciones de equipos completas para cada etapa del proceso de encapsulado DIP-8.Póngase en contacto con nosotros para obtener una configuración de equipo DIP-8 a medida.

 

 

 

Preguntas frecuentes

¿Qué es un encapsulado DIP-8?
El DIP-8 (Dual In-line Package, 8-pin) es uno de los formatos de encapsulado estándar más clásicos en el ensamblaje de semiconductores.
¿Cuáles son los principales campos de aplicación del DIP-8?
Amplificadores operacionales, comparadores, temporizadores, reguladores, EEPROM, optoacopladores y circuitos integrados controladores. Se utilizan en placas de circuitos electrónicos de consumo, industriales, automotrices, de comunicaciones, médicas y para aficionados a la electrónica.
¿Diferencias con otros DIP?
Los modelos DIP-14/16 son más largos pero aún de cuerpo estrecho, y utilizan el mismo 120T. Los modelos DIP-28/40 son de cuerpo ancho y requieren 180T y un acabado reforzado. El proceso es idéntico.
¿Está obsoleto el estándar DIP-8?
No. Sigue siendo esencial para aplicaciones industriales/automotrices (larga vida útil), creación de prototipos/placas de pruebas y aplicaciones de alta potencia/voltaje debido a su fiabilidad y coste.

 

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