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La HY-WT9330 está equipada con un husillo de rectificado con cojinetes de aire y dos husillos de piezas de trabajo con cojinetes de aire. Puede procesar diversos sustratos ultraduros, frágiles y difíciles de rectificar de hasta 12 pulgadas, lo que permite un rectificado espejo de alta eficiencia, sin daños y de ultraprecisión, con una precisión de espesor excepcional, adecuado para el proceso de adelgazamiento posterior de todo tipo de obleas de chips.
Marca :
HYRNUSNúmero de artículo :
HY-WT9330Pedido (cantidad mínima de pedido) :
1 SetGarantía :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenancePago :
T/TPlazo de entrega :
7-35 DaysOrigen del producto :
ChinaEquipos de alto rendimiento para el adelgazamiento y pulido de obleas de sustratos duros y frágiles de 12 pulgadas.
Introducción del producto
HY-WT9330 Equipos de alto rendimiento para el adelgazamiento y pulido de obleas Está equipada con un husillo de rectificado de cojinetes de aire de 9,5 kW y dos husillos de piezas de trabajo con cojinetes de aire, provistos de mesas de sujeción por vacío porosas para una sujeción estable de la oblea. Admite sustratos duros y frágiles con un tamaño máximo de procesamiento de Ø300 mm. Los operadores solo necesitan cargar manualmente los casetes; múltiples brazos robóticos completan automáticamente el posicionamiento, el rectificado, la limpieza por centrifugación y el secado para lograr la producción en masa sin supervisión. El eje Z de rectificado cuenta con un recorrido de 120 mm y un incremento de avance mínimo de 0,1 μm para garantizar un control preciso del espesor. El TTV de la oblea posterior al rectificado alcanza 1 μm, la desviación de espesor entre obleas es de ±2,5 μm y la rugosidad superficial Ra＜10 nm, lo que proporciona una excelente planitud y un acabado de espejo para el adelgazamiento posterior de todo tipo de obleas de chips.
Aplicación del producto
Este equipo está diseñado para el rectificado de precisión de materiales y componentes electrónicos duros y frágiles. Admite diversos sustratos, como silicio, carburo de silicio, semiconductores compuestos, resina epoxi, zafiro y cerámica, y está especialmente desarrollado para el rectificado de materiales ultraduros y difíciles de mecanizar, como SiC, tantalato de litio (LT) y niobato de litio (LN), en un espesor de hasta 30 cm (12 pulgadas). Se utiliza ampliamente para el adelgazamiento posterior de obleas de silicio destinadas a circuitos integrados, dispositivos semiconductores discretos y chips LED.
Diagrama de la estructura de la máquina
Proceso de operación de la máquina
| Paso | Descripción de la operación |
| 1 | Introduzca manualmente el casete de obleas en el equipo. |
| 2 | El brazo robótico extrae la oblea del casete y la transfiere a la plataforma de posicionamiento para su alineación central. |
| 3 | El brazo T1 recoge la oblea de la plataforma de posicionamiento y la coloca sobre la mesa de sujeción. |
| 4 | Realizar el proceso de molienda. |
| 5 | El brazo T2 adsorbe la oblea de la mesa de sujeción y la traslada a la estación de limpieza giratoria para su limpieza y secado. |
| 6 | El brazo robótico recoge la oblea de la estación de limpieza por centrifugación y la vuelve a colocar en el casete, y el flujo descrito anteriormente se repite una y otra vez. |
Presupuesto
| No. | Artículo | Parámetro |
| 1 | Tamaño máximo de pieza de trabajo | Ø300 mm |
| 2 | Husillo de cojinete de aire para rectificado | Cantidad: 1 |
| Potencia: 9,5 kW | ||
| Velocidad: 800~4000 r/min | ||
| 3 | Husillo con cojinete de aire para pieza de trabajo | Cantidad: 2 |
| Velocidad: 50~300 r/min | ||
| 4 | Rectificado del eje Z | Recorrido: 120 mm |
| Velocidad de avance de rectificado: 0,0001~0,08 mm/s | ||
| Incremento mínimo de alimentación: 0,1 μm | ||
| 5 | Método de sujeción | Mandril de vacío poroso |
| 6 | TTV posterior al molido | 1 μm |
| 7 | Desviación del espesor entre obleas después del procesamiento | ±2,5 μm |
| 8 | Rugosidad superficial posterior al rectificado | Ra＜10 nm |
| 9 | Dimensiones generales | 3131*1000*1997 mm |
Estructura principal
| No. | Artículo | Descripción |
| 1 | Marco | Estructura inferior: soporte soldado de tubo cuadrado de 50×100 (estándar) |
| Marco superior: perfil de aluminio de 30×60 | ||
| 2 | Placa de cubierta | Chapa de acero laminada en frío con superficie recubierta de plástico (Estándar) |
| 3 | Partes estructurales | Acero 45# con superficie cromada y aleación de aluminio con superficie anodizada. |
| 4 | Fuente de alimentación | Trifásico 380 V, 50 Hz |
| 5 | Fuente de aire | ≥0,5 MPa, 400 L/min |
Detalles del producto
La HY-WT9530 está equipada con dos husillos con cojinetes de aire y tres mesas de sujeción por vacío para sustratos duros y frágiles de hasta 8 pulgadas. Los operarios solo necesitan cargar los casetes manualmente, mientras que la máquina realiza ciclos totalmente automáticos que incluyen rectificado grueso/fino, limpieza y recuperación. El TTV posterior al rectificado es ≤1,5 μm, con una excelente planitud y rugosidad superficial, lo que la hace adecuada para el adelgazamiento de la cara posterior de diversas obleas semiconductoras.
La HY-WT9730 admite obleas de hasta 12 pulgadas. Equipada con 3 husillos de rectificado con cojinetes de aire y 4 husillos de piezas con cojinetes de aire, integra procesos de rectificado basto, rectificado fino y pulido. El flujo de trabajo robótico completo realiza automáticamente la transferencia, el procesamiento, la limpieza y la descarga de las obleas; solo se requiere la alimentación manual de los casetes. La alimentación ultraprecisa del eje Z proporciona una planitud superior de las obleas y un pulido espejo sin daños, mientras que su robusta estructura garantiza una producción en masa estable.
La HY-WT9230 está diseñada para materiales semiconductores ultraduro y frágiles de hasta 30 cm (12 pulgadas). Equipada con husillos de doble cojinete de aire y un eje Z de rectificado de alta precisión, permite un adelgazamiento de espejo totalmente automático con alta eficiencia y un procesamiento sin daños. Gracias a su plato de vacío poroso y un control de avance ultrafino, la máquina garantiza una planitud y uniformidad de espesor superiores para los procesos de adelgazamiento de obleas semiconductoras.
El HY-IS1000 es un equipo de corte y rectificado láser de lingotes de SiC de doble estación que combina procesos de modificación láser y deslaminación de obleas. Utiliza un láser de pulsos ultracortos para formar capas internas modificadas dentro de los lingotes de SiC, lo que permite un corte de obleas sin marcas de sierra y ofrece un alto rendimiento con una variación total de la longitud de la oblea rectificada (TTV) de ≤1,1 μm. Es un equipo esencial para la producción en masa de sustratos semiconductores de tercera generación.
HY-WC615 máquina biseladora de obleas de doble cara Está equipada con módulos de posicionamiento por visión CCD y medición de espesor en línea, componentes mecánicos centrales de desarrollo propio y un sistema de carga/descarga totalmente automático, lo que proporciona una precisión de mecanizado excepcional y un funcionamiento táctil fácil de usar para el procesamiento del biselado de obleas.
La HY-ST3005 procesa sustratos semiconductores duros y frágiles de 4 a 12 pulgadas para un adelgazamiento posterior de alta precisión. Mejorada de forma iterativa para lograr una precisión superior y una estabilidad a largo plazo, cuenta con conjuntos centrales de primera calidad (husillo de rectificado con cojinetes de aire hidrostáticos, husillo para obleas de alta precisión, mesa giratoria de gran diámetro y alta rigidez) y un alto grado de automatización para la producción en masa de obleas de silicio y semiconductores compuestos.
La HY-ST3002 procesa obleas de 4 a 12 pulgadas para el adelgazamiento y rectificado de precisión de semiconductores duros y frágiles. Totalmente actualizada con procesos consolidados, ofrece mayor precisión y un rendimiento estable a largo plazo, con una arquitectura de adelgazamiento automático refinada y componentes clave de primera calidad: husillo de rectificado con cojinetes de aire hidrostáticos, husillo de sujeción de obleas con cojinetes de aire hidrostáticos y mesa giratoria de gran diámetro y alta rigidez.
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