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Máquina de adelgazamiento de obleas para materiales semiconductores duros y frágiles.

La HY-WT9230 está diseñada para materiales semiconductores ultraduro y frágiles de hasta 30 cm (12 pulgadas). Equipada con husillos de doble cojinete de aire y un eje Z de rectificado de alta precisión, permite un adelgazamiento de espejo totalmente automático con alta eficiencia y un procesamiento sin daños. Gracias a su plato de vacío poroso y un control de avance ultrafino, la máquina garantiza una planitud y uniformidad de espesor superiores para los procesos de adelgazamiento de obleas semiconductoras.

  • Marca :

    HYRNUS
  • Número de artículo :

    HY-WT9230
  • Pedido (cantidad mínima de pedido) :

    1 Set
  • Garantía :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • Pago :

    T/T
  • Plazo de entrega :

    7-35 Days
  • Origen del producto :

    China
  • Máquina de adelgazamiento de obleas para materiales semiconductores duros y frágiles.

     

    Introducción del producto

    HY-WT9230 Máquina de adelgazamiento de obleasEs adecuada para diversos materiales semiconductores ultraduros y frágiles con diámetros de hasta 12 pulgadas. Equipada con husillos de doble cojinete de aire y un eje Z de rectificado de alta precisión, realiza un adelgazamiento de espejo totalmente automático con alta eficiencia, sin daños en la pieza de trabajo y con una excelente uniformidad de espesor.

    La máquina utiliza un soporte de vacío de cerámica porosa para sujetar las obleas de forma estable. Logra un avance mínimo de 0,1 μm, un TTV posterior al rectificado inferior a 3,0 μm y una rugosidad superficial Ra < 10 nm tras el rectificado fino con una muela abrasiva de grano 8000.

     

    Diagrama de la estructura de la máquina

     

    Automatic Wafer Back Grinding

     

    Proceso de operación de la máquina

     

    PasoPasos de la operación
    1Coloque manualmente la oblea sobre el soporte cerámico para su adsorción automática.
    2El mecanismo de transferencia impulsa el husillo de la pieza de trabajo hacia la estación de rectificado.
    3El sistema de molienda reduce automáticamente el grosor de la oblea hasta alcanzar el espesor requerido.
    4El mecanismo de transferencia traslada la oblea molida a la estación de carga y descarga.
    5Retire manualmente la oblea procesada.

     

    Presupuesto

     

    ArtículoParámetros
    Rango de tamaño de la pieza de trabajoTamaño máximo procesable: Ø300 mm
    Husillo con cojinete de aire para muela abrasivaCantidad: 1
    Potencia del husillo: 11,0 kW
    Velocidad del husillo: 1000~4000 rpm
    Husillo con cojinete de aire para pieza de trabajoCantidad: 1
    Velocidad del husillo: 10~300 rpm
    Rectificado del eje ZRecorrido: 120 mm
    Velocidad de avance de rectificado: 0,0001~0,08 mm/s
    Incremento mínimo de alimentación: 0,1 μm
    Método de sujeciónMandril de vacío poroso
    TTV posterior al molido3,0 μm
    Desviación del espesor entre obleas después del rectificado±3 μm
    Rugosidad superficial después del rectificado finoRa10 nm (muela abrasiva de 8000#)
     

    Estructura principal

     

    No.ArtículoEspecificación
    1MarcoEstructura inferior: Hierro fundido (configuración estándar)
    Marco superior: perfil de aluminio de 30×60
    2Placa de cubiertaChapa de acero laminada en frío con recubrimiento plástico RAL9003 en la superficie (configuración estándar)
    3Partes estructuralesAcero 45# con superficie cromada, aleación de aluminio anodizado y acero inoxidable
    4Fuente de alimentaciónTrifásico 380 V, 50 Hz
    5Fuente de aire≥0,5 MPa (fluctuación) 0,03 MPa), 150 L/min
    6Fuente de aguaPresión: 0,2–0,3 MPa
    Caudal: 20 L/min
    Temperatura: Temperatura ambiente +2 (fluctuación ±1)
    7Consumo de energíaCalentamiento: 4 kW; Molienda: 8 kW

     

    Detalles del producto

      •  

    Automatic Wafer Back Grinding Machine

      Wafer Grinder for Semiconductor Processing

       

       

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