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Máquina de corte y rectificado láser sigiloso de lingotes de SiC para obleas de 6/8/12 pulgadas

El HY-IS1000 es un equipo de corte y rectificado láser de lingotes de SiC de doble estación que combina procesos de modificación láser y deslaminación de obleas. Utiliza un láser de pulsos ultracortos para formar capas internas modificadas dentro de los lingotes de SiC, lo que permite un corte de obleas sin marcas de sierra y ofrece un alto rendimiento con una variación total de la longitud de la oblea rectificada (TTV) de ≤1,1 μm. Es un equipo esencial para la producción en masa de sustratos semiconductores de tercera generación.

  • Marca :

    HYRNUS
  • Número de artículo :

    HY-IS1000
  • Pedido (cantidad mínima de pedido) :

    1 Set
  • Garantía :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • Pago :

    T/T
  • Plazo de entrega :

    7-35 Days
  • Origen del producto :

    China
  • Máquina de corte y rectificado láser sigiloso de lingotes de SiC para obleas de 6/8/12 pulgadas

     

    Introducción del producto

    HY-IS1000 Máquina de corte y rectificado láser sigiloso de lingotes de SiC Se trata de un equipo de corte y rectificado láser de lingotes de SiC de dos estaciones que integra una estación de modificación láser y una estación de deslaminación de obleas. En la estación de modificación láser, un láser de pulsos ultracortos con una longitud de onda de transmisión adaptada a la oblea se enfoca a una profundidad interna específica del lingote mediante un sistema óptico de alta precisión para provocar la absorción multifotónica, romper los enlaces químicos del material y crear una capa modificada con zonas de alta densidad de dislocaciones. Tras la modificación, la estación de deslaminación de obleas realiza la deslaminación a lo largo de planos de fractura cristalina preestablecidos para lograr una separación de la oblea del lingote sin marcas de sierra. Con una alta eficiencia de procesamiento (una oblea de 8 pulgadas procesada en 25 minutos) y una TTV de superficie rectificada no superior a 1,1 μm, esta máquina constituye una maquinaria de fabricación esencial para la producción en masa de sustratos semiconductores de tercera generación.

     

    Diagrama de la estructura de la máquina

     

    Wafer Laser Cutting

     

    Proceso de operación de la máquina

     

    No.Pasos de la operación
    1Colocar el lingote de SiC en la estación de carga.
    2Realizar la medición del lingote
    3Transferir el lingote a la plataforma de modificación láser.
    4procesamiento de modificación láser
    5Un brazo robótico recoge el lingote.
    6Realizar una medición secundaria del lingote.
    7El mecanismo de transferencia absorbe el lingote.
    8Transferencia a la plataforma de deslaminación para la separación de obleas.
    9Trasladar el lingote a la estación de volteo para la limpieza de la superficie inferior.
    10Trasladar el lingote a la estación de limpieza para la limpieza de la superficie superior y el secado por centrifugación.
    11Coloca el lingote en la estación de descarga.
    12Trasladar la oblea separada a la estación de volteo para la limpieza de la superficie inferior.
    13Trasladar la oblea a la estación de limpieza para limpiar la superficie superior y secarla por centrifugación.
    14Coloque la oblea en la estación de descarga.

     

    Presupuesto

    1. Normas de inspección

    ParámetroEje XEje YEje ZInstrumento de medición
    Rectitud1 μm/100 mm1 μm/100 mmAutocolimador
    Llanura1 μm/210 mm1 μm/210 mmAutocolimador
    Ortogonalidad5 μm en los ejes XYRegla cuadrada de cerámica
    Repetibilidad±1 μm±2 μm±1 μmInterferómetro láser
    Precisión de posicionamiento±2 μm±3 μm±2 μmInterferómetro láser
    Capacidad de carga5 kgX+5 kg10 kgPesos estándar

     

    2. Ventajas y características

    ParámetroEspecificación
    Diámetro del lingoteCompatible con 6/8/12 pulgadas
    Espesor del lingote≤50 mm (personalizable)
    Grosor de las rebanadasAdmite espesores estándar de 150/700 μm (personalizables).
    Rendimiento de una sola líneaUPH ≥ 3
    Precisión del corte láserPrecisión de repetición ≤ ±1 μm, precisión de posicionamiento ≤ ±2 μm
    Espesor de la oblea separada≤500 μm

     

    3. Especificaciones de precisión

    Nombre de la secciónElemento de parámetroEje XEje YEje ZEspecificación
    Estación de modificación – Precisión geométrica mecánicaRectitud1 μm/100 mm1 μm/100 mm
    Llanura1 μm/210 mm1 μm/210 mm
    Ortogonalidad5 μm en los ejes XY
    Estación de modificación – Rendimiento estáticoRepetibilidad±1 μm±2 μm±1 μm
    Precisión de posicionamiento±2 μm±3 μm±2 μm
    Capacidad de carga5 kgX+5 kg10 kg
    Estación de separación – Módulo servoRepetibilidad de los ejes≤ ±0,02 mm
    Estación de separación – Husillo de bolasRepetibilidad de los ejes≤ ±0,02 mm
    Estación de separación: precisión en la recogida y colocaciónPrecisión de posición XY±0,02 mm
    Precisión angular±0,1°
     

    Estructura principal

     

    CategoríaComponentes y especificaciones
    Alcance de la estación de modificaciónBase de granito, motor lineal con cojinetes de aire en el eje Y, motor lineal con cojinetes de aire en el eje X, servomotor en el eje Z, servomotor en el eje de transferencia, controlador de accionamiento de ejes, embalaje para transporte y seguro.
    Alcance de la estación de separación1. Marco
    Bastidor superior/inferior: Estructura principal soldada + revestimiento de chapa metálica.
    2. Placas de cubierta
    Placa de cubierta superior: Chapa de acero laminado en frío con superficie recubierta de plástico (configuración estándar).
    Placa de cubierta inferior: Chapa de acero laminada en frío con superficie recubierta de plástico (configuración estándar).
    3. Partes estructurales
    Acero 45# con recubrimiento de cromo y aleación de aluminio con oxidación anódica
    4. Fuente de alimentación
    Monofásico 220V, 80A
    5. Fuente de aire
    ≥0,5 MPa, 150 L/min

     

    Detalles del producto

      •  

    Ingot Laser Slicing and Grinding Equipment

       

       

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    Contáctanos :allen@hyrnus.com